在真空中制備膜層，包括鍍制晶態的金屬、半導體、絕緣體等單質或化合物膜。雖然化學汽相沉積也采用減壓、低壓或等離子體等真空手段，但一般真空鍍膜是指用物理的方法沉積薄膜。真空鍍膜有三種形式，即蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。 

真空鍍膜設備主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜，具體包括很多種類，包括PVD真空鍍膜，磁控濺射，3D打印高球形粉末 ，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發和濺射兩種。需要鍍膜的被成為基片，鍍的材料被成為靶材。基片與靶材同在真空腔中。

蒸發鍍膜 通過加熱蒸發某種物質使其沉積在固體表面，稱為蒸發鍍膜。這種方法最早由M.法拉第于1857年提出，現代已成為常用鍍膜技術之一。

蒸發物質如金屬、化合物等置于坩堝內或掛在熱絲上作為蒸發源，待鍍工件，如金屬、陶瓷、塑料等基片置于坩堝前方。待系統抽至高真空后，加熱坩堝使其中的物質蒸發。蒸發物質的原子或分子以冷凝方式沉積在基片表面。薄膜厚度可由數百埃至數微米。膜厚決定于蒸發源的蒸發速率和時間（或決定于裝料量），并與源和基片的距離有關。對于大面積鍍膜，常采用旋轉基片或多蒸發源的方式以保證膜層厚度的均勻性。從蒸發源到基片的距離應小于蒸氣分子在殘余氣體中的平均自由程，以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學作用。蒸氣分子平均動能約為0.1～0.2電子伏。 

蒸發源有三種類型。①電阻加熱源。②高頻感應加熱源。③電子束加熱源。